IGBT 损耗计算

一、IGBT

1.1 导通损耗

         其中：    

u  ：正弦的输出电流

u  ：导通情况下的IGBT的压降，其中为门槛电压，为斜率电阻

u  ：逆变桥输出的占空比（导通时为1，关断时为0），一般情况下，该变量的波形为，m为调制比，为输出信号与电流之间的相位差。

推导得：

1.2 开关损耗

其中

二、  DIODE

2.1 导通损耗

         与IGBT的导通损耗类似，只是针对DIODE而言，上桥臂的IGBT导通意味着下桥臂的DIODE关断，反之，上桥臂的IGBT关断意味着下桥臂的DIODE导通。因此对于DIODE来说

2.2 开关损耗

二极管开关损耗中的导通损耗可忽略不计，须考虑的是关断损耗：

计算中，与DIODE的反向恢复能量并不成正比，以下式进行等同

综合后可得：

——————————————————————翻译自IPOSIM6的说明文档